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参数目录44042
> NTGS5120PT1G MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
型号:
NTGS5120PT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTGS5120PT1G PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
111 毫欧 @ 2.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
18.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
942pF @ 30V
功率 - 最大
600mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-74,SOT-457
供应商设备封装
6-TSOP
包装
标准包装
其它名称
NTGS5120PT1GOSDKR
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